低消耗功率 B 为客户实现开云网页版-开云(中国)官网脱碳化作贡献 MOS FET继电器(高灵敏度型)
G3VM-61G2/61G3、
G3VM-201G1/201G2、G3VM-351G1、
G3VM-401G1、G3VM-601G1/601G、
G3VM-61VY4、G3VM-351VY1

通过以低消耗功率进行驱动的
“高灵敏度”继电器
为客户设备的
节能设计作贡献

MOS FET继电器

为了应对环境问题,削减消耗功率的节能设计成为各种设备所面临的课题。为客户设备选定高灵敏度型继电器、降低元件本身的消耗功率也是环境对策之一。高灵敏度型MOS FET继电器可以被比传统开云网页版-开云(中国)官网还小的电流进行驱动,所以可为实现低消耗功率化作贡献。

传统开云网页版-开云(中国)官网与高灵敏度型的消耗功率差异
(基于各型号推荐运行条件算出)

传统开云网页版-开云(中国)官网:G3VM-61VY3 100% 高灵敏度型:G3VM-61G2 消耗功率70%削减*1 G3VM-61G3 消耗功率93%削减*1

*1. 传统开云网页版-开云(中国)官网与高灵敏度型的对比

【提供价值】

  • 通过削减MOS FET继电器的驱动功率,可增加设备节能化的选项。
  • ※ 从相同封装品替换时,无需变更贴装图案设计。 ※ 需根据所选MOS FET继电器的运行条件重新进行输入电流的设计(重置限制电阻值等)。

以低消耗功率驱动MOS FET继电器的结构

MOS FET继电器与机械式继电器不同,它采用以PDA单元接收LED单元发光能量的方式进行发电、由此使输出侧MOS FET运行的结构。而且,其消耗功率主要在于发光单元和受光单元。开云网页版-开云(中国)官网的高灵敏度型MOS FET继电器采用了提高作为受光单元的PDA单元的灵敏度后、即使LED单元发光能量较小也可通电的设计,由此实现了低消耗功率下的驱动。

MOS FET继电器内部结构 传统开云网页版-开云(中国)官网与高灵敏度型的差异

传统开云网页版-开云(中国)官网:PDA单元灵敏度:一般、光量:较大时动作 高灵敏度型MOS FET继电器:PDA单元灵敏度:高、光量:较小时也可动作

"开云网页版-开云(中国)官网的MOS FET继电器(高灵敏度型)代表机型开云网页版-开云(中国)官网阵容"

传统开云网页版-开云(中国)官网:G3VM-61VY3、G3VM-201G、G3VM-351VY、G3VM-401VY 高灵敏度型(消耗功率73%削减*1.):G3VM-61VY4 G3VM-61G2、G3VM-201G1、G3VM-351VY1 G3VM-351G1、G3VM-601G 高灵敏度型(消耗功率93%削减*1.):G3VM-61G3、G3VM-201G2、G3VM-401G1、G3VM-601G1

*1. 传统开云网页版-开云(中国)官网与高灵敏度型的对比

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